Π£ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ элСктромагнитными ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌΠ°ΠΌΠΈ β€” ΠΎΠ΄Π½Π° ΠΈΠ· самых частых Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ ΠΏΡ€ΠΈ создании Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… систСм ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠ²Π°, ΠΏΠ½Π΅Π²ΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠΊΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ ΡƒΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΎΠΌΠ°. ΠŸΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ солСноида ΠΊ Ардуино Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ Π½Π΅ просто соСдинСния ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠ², Π° понимания ΠΏΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, которая ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ создаСт ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ элСктромагнитныС ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…ΠΈ. ΠŸΡ€ΡΠΌΠΎΠ΅ соСдинСниС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° с ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΎΠΉ ΠΊΠ»Π°ΠΏΠ°Π½Π° Π½Π΅ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΈΠ· строя ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹ управлСния, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ потрСблСния солСноидов Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‚ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ допустимыС значСния для ΠΏΠΎΡ€Ρ‚ΠΎΠ² Arduino Uno ΠΈΠ»ΠΈ Nano.

Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ ΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π·Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ физичСскиС ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ элСктромагнитного ΠΊΠ»Π°ΠΏΠ°Π½Π° ΠΈ рассмотрим бСзопасныС способы Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ. Π’Ρ‹ ΡƒΠ·Π½Π°Π΅Ρ‚Π΅, ΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ нСльзя ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΡƒ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ транзисторный ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΡŒ Ρ€Π΅Π»Π΅, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π·Π°Ρ‡Π΅ΠΌ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ управлСния. Грамотная схСмотСхника ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ Π»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹Ρ… сбросов ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π»ΠΈΡ‚ Тизнь Π²Π°ΡˆΠ΅ΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚Ρƒ.

Π€ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠ° процСсса ΠΈ ограничСния ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°

Π‘ΠΎΠ»Π΅Π½ΠΎΠΈΠ΄ прСдставляСт собой ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΡƒ индуктивности, которая ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° создаСт ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅, Π²Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ сСрдСчник. Π˜Π½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Π°Ρ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ° ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ свойством Π·Π°ΠΏΠ°ΡΠ°Ρ‚ΡŒ ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΈΡŽ Π² ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»Π΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ возникновСнию Π­Π”Π‘ самоиндукции ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Ρ‹Π²Π΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ. ИмСнно этот всплСск напряТСния, Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ² основного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, прСдставляСт Π³Π»Π°Π²Π½ΡƒΡŽ ΠΎΠΏΠ°ΡΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ для Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ элСктроники. Π‘Ρ‚Π°Π½Π΄Π°Ρ€Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠΈΠ½ Arduino способСн Π²Ρ‹Π΄Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 20-40 мА, Π² Ρ‚ΠΎ врСмя ΠΊΠ°ΠΊ Π΄Π°ΠΆΠ΅ нСбольшиС солСноиды ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΡŽΡ‚ ΠΎΡ‚ 100 мА Π΄ΠΎ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€.

Если ΠΏΠΎΠΏΡ‹Ρ‚Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠ»Π°ΠΏΠ°Π½ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ, Π²Ρ‹ ΡΡ‚ΠΎΠ»ΠΊΠ½Π΅Ρ‚Π΅ΡΡŒ с ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π²ΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° ΠΈ, скорСС всСго, с Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ сгораниСм. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ размыкания Ρ†Π΅ΠΏΠΈ возникший скачок напряТСния ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΡΡ†ΠΈΡŽ ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ€Π΅Π΄ΠΈΡ‚ΡŒ сосСдниС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ Π½Π° ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ использованиС ΠΏΡ€ΠΎΠΌΠ΅ΠΆΡƒΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ°ΠΊ транзистор ΠΈΠ»ΠΈ Ρ€Π΅Π»Π΅, являСтся Π½Π΅ просто Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ, Π° ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ условиСм.

⚠️ Π’Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅: Никогда Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΠΉΡ‚Π΅ солСноид Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ ΠΊ ΠΏΠΈΠ½Π°ΠΌ 5V ΠΈΠ»ΠΈ GND Π½Π° ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅ Arduino. Π­Ρ‚ΠΎ Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΈΠ· строя ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° ATmega328P ΠΈΠ»ΠΈ USB-ΠΊΠΎΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚Π΅Ρ€Π°.

Для ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ систСмы Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ, Π½ΠΎ ΠΈ напряТСниС питания. ΠŸΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ солСноиды часто Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ ΠΎΡ‚ 12Π’ ΠΈΠ»ΠΈ 24Π’, Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊΠ°ΠΊ Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ° Ардуино ΠΎΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ 5Π’. Π Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ питания β€” ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ Π² построСнии Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΠΉ схСмы. ЛогичСский ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ управляСт ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΎΠΌ, Π° ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ внСшний источник ΠΏΠΈΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌ.

Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ схСмы управлСния: транзистор ΠΈΠ»ΠΈ Ρ€Π΅Π»Π΅

БущСствуСт Π΄Π²Π° основных способа Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ интСрфСйса ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ΠΎΠΌ ΠΈ солСноидом: использованиС ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора (MOSFET) ΠΈΠ»ΠΈ элСктромСханичСского Ρ€Π΅Π»Π΅. Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ зависит ΠΎΡ‚ частоты ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ, уровня ΡˆΡƒΠΌΠ° ΠΈ Π³Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚ΠΎΠ² устройства. ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ популярный IRF540N ΠΈΠ»ΠΈ IRFZ44N, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΠΎΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Π±Π΅ΡΡˆΡƒΠΌΠ½ΡƒΡŽ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΡŽ с высокой частотой. Они идСально подходят для систСм, Π³Π΄Π΅ трСбуСтся быстроС срабатываниС ΠΈΠ»ΠΈ ШИМ-Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° силы втягивания.

Π Π΅Π»Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΠΈ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ², ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ»Π½ΡƒΡŽ Π³Π°Π»ΡŒΠ²Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ развязку Ρ†Π΅ΠΏΠΈ управлСния ΠΈ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Ардуино ΠΈ солСноидом Π½Π΅Ρ‚ элСктричСского ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ с высокими напряТСниями. Однако мСханичСскиС ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ рСсурс ΠΈ ΠΈΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‚ Ρ‰Π΅Π»Ρ‡ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ»Π΅ΠΌΠΎ Π² Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… примСнСниях. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ€Π΅Π»Π΅ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокоС врСмя ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΠΈΠΊΠ° ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с транзисторами.

πŸ“Š Какой Ρ‚ΠΈΠΏ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π²Ρ‹ ΠΏΠ»Π°Π½ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ?
Π‘ΠΎΠ»Π΅Π½ΠΎΠΈΠ΄ 12Π’
Π‘ΠΎΠ»Π΅Π½ΠΎΠΈΠ΄ 24Π’
ПнСвмоклапан
ГидравличСский ΠΊΠ»Π°ΠΏΠ°Π½

ΠŸΡ€ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅ транзистора критичСски Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‰Π°Ρ‚ΡŒ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° (Vgs(th)). Для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΎΡ‚ 5-Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ Ардуино Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹ транзисторы с логичСским ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ (Logic Level), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ 3.3–5Π’. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ силовыС MOSFET ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ 10Π’, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ ΠΈΡ… Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π² Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅, ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Ρƒ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΈΠ· строя.

НСобходимыС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ ΠΈ инструмСнты

Для сборки Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΡƒΠ·Π»Π° управлСния Π²Π°ΠΌ потрСбуСтся Π½Π°Π±ΠΎΡ€ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ². ΠšΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²ΠΎ элСмСнтов Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ влияСт Π½Π° ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ всСй систСмы. НС ΡΠΊΠΎΠ½ΠΎΠΌΡŒΡ‚Π΅ Π½Π° Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°Ρ…, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΡ‚ΠΎΠΈΡ‚ΡŒ Π²Π°ΠΌ всСй ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ.

  • πŸ”Œ Arduino Uno/Nano β€” основной ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ для управлСния Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΎΠΉ.
  • ⚑ MOSFET транзистор (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, IRF540N) ΠΈΠ»ΠΈ ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΡŒ Ρ€Π΅Π»Π΅ Π½Π° 5Π’.
  • πŸ›‘οΈ Π—Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ (1N4007 ΠΈΠ»ΠΈ 1N4148) для гашСния ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.
  • πŸ”‹ Π’Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΠΉ источник питания (12Π’/2А ΠΈΠ»ΠΈ sesuai спСцификации солСноида).
  • πŸ“ РСзистор 10 кОм (для подтяТки Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°, ΠΎΠΏΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Π½ΠΎ ΠΆΠ΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ).

Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ понадобится ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ достаточного сСчСния, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ солСноида Π±Π΅Π· падСния напряТСния. Для соСдинСния ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρƒ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠ°ΡΡ‚ΡŒ схСму Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Ρ„ΠΎΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅. Если Π²Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ солСноиды, ΡƒΠ±Π΅Π΄ΠΈΡ‚Π΅ΡΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π° рассчитаны Π½Π° ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ.

πŸ’‘

Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π° для питания Ардуино ΠΈ солСноида, объСдиняя Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ зСмлю (GND). Π­Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠΈΠ·ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…ΠΈ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ питания ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°.

Π’Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄ Ρ€ΡƒΠΊΠΎΠΉ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ напряТСний ΠΈ цСлостности соСдинСний ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ΠΉ питания. Ошибка Π² полярности ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° ΠΈΠ»ΠΈ транзистора ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ привСсти ΠΊ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΡŽ. Π’ Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ основныС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² для Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ солСноида 12Π’.

ΠšΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ НазначСниС ΠšΡ€ΠΈΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅
MOSFET ΠšΠ»ΡŽΡ‡ управлСния Макс. Ρ‚ΠΎΠΊ стока (Id) > 2 А (с запасом)
Π”ΠΈΠΎΠ΄ Π—Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π° ΠΎΡ‚ Π­Π”Π‘ ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС > 50 Π’ (1N4007)
РСзистор ΠŸΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠΆΠΊΠ° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ 10 кОм
Π‘Π»ΠΎΠΊ питания ΠŸΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π’ΠΎΠΊ ΠΎΡ‚Π΄Π°Ρ‡ΠΈ > Π’ΠΎΠΊ солСноида + 20%

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· MOSFET транзистор

Рассмотрим Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΡƒΡŽ ΠΈ Ρ€Π°ΡΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Ρ€Π°Π½Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ схСму Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ N-канального MOSFET транзистора. Π’ этой ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ солСноид ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ плюсом источника питания ΠΈ стоком (Drain) транзистора. Π˜ΡΡ‚ΠΎΠΊ (Source) соСдиняСтся с Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅ΠΉ. Π£ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ осущСствляСтся ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ΠΉ напряТСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ (Gate) Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠΈΠ½ Ардуино.

ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ элСмСнтом являСтся Π΄ΠΈΠΎΠ΄, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ солСноиду Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ (ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄ ΠΊ ΠΏΠ»ΡŽΡΡƒ, Π°Π½ΠΎΠ΄ ΠΊ минусу/стоку). Он ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΡƒ Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ, замыкая Ρ‚ΠΎΠΊ самоиндукции Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ°-Π΄ΠΈΠΎΠ΄, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‰Π°Π΅Ρ‚ транзистор ΠΎΡ‚ пробоя. Π‘Π΅Π· этого Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° срок слуТбы ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΡΡ‡ΠΈΡΠ»ΡΡ‚ΡŒΡΡ сСкундами.

β˜‘οΈ ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° сборки схСмы

Π’Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΎ: 0 / 4

Для ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ рСкомСндуСтся ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ рСзистор Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΠΌ 10 кОм ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ истоком. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ рСзистор подтягиваСт Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ ΠΊ Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅, гарантируя Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ΅ состояниС транзистора Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ Π·Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Ардуино, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΏΠΈΠ½Ρ‹ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΊΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΏΠ»Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ‚Π²Ρ€Π°Ρ‰Π°Π΅Ρ‚ случайноС Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ солСноида ΠΏΡ€ΠΈ стартС систСмы.

⚠️ Π’Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅: ΠŸΡ€ΠΈ сборкС схСмы ΡƒΠ±Π΅Π΄ΠΈΡ‚Π΅ΡΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ "зСмля" (GND) Π±Π»ΠΎΠΊΠ° питания солСноида ΠΈ "зСмля" Ардуино соСдинСны ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ собой. Π‘Π΅Π· ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π° Ρ‚ΠΎΠΊ управлСния Π½Π΅ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Π² Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ транзистора.

ΠŸΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½Π°Ρ рСализация ΠΈ ΠΊΠΎΠ΄

ΠŸΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½Π°Ρ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ для управлСния солСноидом ΠΊΡ€Π°ΠΉΠ½Π΅ проста, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ с Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ зрСния Ардуино ΠΌΡ‹ просто ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅ΠΌ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ Π² высокий ΠΈΠ»ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ. Однако Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ. Π Π΅Π·ΠΊΠΎΠ΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ просадки напряТСния, поэтому ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ смысл Π΄ΠΎΠ±Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΡƒΡŽ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΡƒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠ»Π°ΠΏΠ°Π½ΠΎΠ² Π² систСмС.

НиТС прСдставлСн Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ ΠΊΠΎΠ΄Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΠ»Π°ΠΏΠ°Π½ Π½Π° 5 сСкунд, Π° Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π΅Π³ΠΎ. Π’ Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚Π΅ вмСсто Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠ΅ΠΊ delay() Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ ΠΈΠ»ΠΈ millis(), Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π½Π΅ Π±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… Π·Π°Π΄Π°Ρ‡.

const int solenoidPin = 9; // Пин ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° транзистора

void setup() {

pinMode(solenoidPin, OUTPUT);

digitalWrite(solenoidPin, LOW); // Π“Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ стартС

}

void loop() {

// ΠžΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΡŒ солСноид

digitalWrite(solenoidPin, HIGH);

delay(5000); // Π”Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠΌ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ 5 сСкунд

// Π—Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΡŒ солСноид

digitalWrite(solenoidPin, LOW);

delay(10000); // ΠŸΠ°ΡƒΠ·Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Ρ†ΠΈΠΊΠ»ΠΎΠΌ

}

ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ШИМ управлСния

Если ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ сигнал ШИМ (PWM), ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ силу ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ поля. Π­Ρ‚ΠΎ позволяСт ΡƒΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ»Π°ΠΏΠ°Π½ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ с мСньшим Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, сниТая Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π² ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ, Π½ΠΎ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° 100% для срабатывания.

ΠŸΡ€ΠΈ написании ΠΊΠΎΠ΄Π° всСгда прСдусматривайтС Π°Π²Π°Ρ€ΠΈΠΉΠ½Ρ‹Π΅ сцСнарии. НапримСр, Ссли солСноид ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для сброса давлСния, ΡƒΠ±Π΅Π΄ΠΈΡ‚Π΅ΡΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ зависании ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ ΠΈΠ»ΠΈ сбросС питания ΠΊΠ»Π°ΠΏΠ°Π½ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π² бСзопасноС состояниС (ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ΅). Для этого Π² Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ setup() ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠ±Π»ΠΈΡ€ΡƒΠΉΡ‚Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Ρƒ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠΈΠ½Π°.

Π’ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ ошибки ΠΈ troubleshooting

Π”Π°ΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ схСмС ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹, связанныС с качСством ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΈΠ»ΠΈ ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠΎΠΌ. Одна ΠΈΠ· частых ошибок β€” использованиС Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² для питания солСноида. Π”Π»ΠΈΠ½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ создаСт сопротивлСниС, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ падСнию напряТСния Π½Π° ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ΅, ΠΈ ΠΊΠ»Π°ΠΏΠ°Π½ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π΅ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΈΠ»ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ.

Π•Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄Π½Π° распространСнная ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ° β€” Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π² транзистора. Если MOSFET грССтся Π΄Π°ΠΆΠ΅ Π±Π΅Π· Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅, вСроятно, ΠΎΠ½ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚. Π­Ρ‚ΠΎ случаСтся ΠΏΡ€ΠΈ использовании транзисторов с высоким ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ напряТСниСм ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ нСдостаточном Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°. Π’ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… случаях стоит Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор Π½Π° модСль с ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΎΠΉ Logic Level ΠΈΠ»ΠΈ Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€.

  • πŸ”₯ ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π² Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°: ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ солСноида слишком Π²Π΅Π»ΠΈΠΊ для Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°. Π—Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚Π΅ 1N4148 Π½Π° 1N4007 ΠΈΠ»ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ Π¨ΠΎΡ‚Ρ‚ΠΊΠΈ.
  • πŸ“‰ Бброс Ардуино: ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ солСноида ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π° пСрСзагруТаСтся. РСшСниС: Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ кондСнсатора near Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ питания.
  • ⚑ Π˜ΡΠΊΡ€Π΅Π½ΠΈΠ΅: Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°Ρ… (Ссли ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Ρ€Π΅Π»Π΅). Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ искрогасящиС Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΎΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅Π»Π΅.
πŸ’‘

90% ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌ с Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ солСноидов связаны с отсутствиСм ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ зазСмлСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠΌ питания ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ΠΎΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ отсутствиСм Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°.

Часто Π·Π°Π΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ вопросы (FAQ)

МоТно Π»ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π΅Π»Π΅ вмСсто транзистора для солСноида?

Π”Π°, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ. Π Π΅Π»Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΡŒ Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅ Π² ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ для Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‡ΠΊΠΎΠ², Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ часто ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π²ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΅Π½Π½ΡƒΡŽ Π³Π°Π»ΡŒΠ²Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ развязку. Однако Ρ€Π΅Π»Π΅ Ρ‰Π΅Π»ΠΊΠ°Π΅Ρ‚, ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ рСсурс ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΈ ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½Π΅Π΅ Ρ€Π΅Π°Π³ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚. Для частых Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ (Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ Ρ€Π°Π·Π° Π² сСкунду) Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ MOSFET.

Какой Π΄ΠΈΠΎΠ΄ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ ΠΏΠΎΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ: ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ Π¨ΠΎΡ‚Ρ‚ΠΊΠΈ?

Для Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹Ρ… систСм (5-12Π’) Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ Π¨ΠΎΡ‚Ρ‚ΠΊΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π΅Π΅ ΠΈΠ·-Π·Π° мСньшСго падСния напряТСния ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ быстрого восстановлСния. Однако для простых Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ Π²ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈ стандартный Π²Ρ‹ΠΏΡ€ΡΠΌΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ сСрии 1N400x, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ дСшСвлС ΠΈ доступнСС.

ΠŸΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ солСноид Π³ΡƒΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΈΠ»ΠΈ дСргаСтся?

Π­Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° нСдостаточный Ρ‚ΠΎΠΊ питания (просадка напряТСния) ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ питания. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡŒΡ‚Π΅ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ². Если ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ШИМ, ΡƒΠ±Π΅Π΄ΠΈΡ‚Π΅ΡΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ частота достаточно высока, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠΊΠ° Π½Π΅ успСвала Ρ€Π΅Π°Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠΈ.

НуТСн Π»ΠΈ рСзистор Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ транзистора?

РСзистор ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΏΠΈΠ½ΠΎΠΌ Ардуино ΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (100-220 Ом) ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π΅Π½ для ограничСния броска Ρ‚ΠΎΠΊΠ° заряда Смкости Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ сниТаСт ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…ΠΈ. РСзистор ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅ΠΉ (10 кОм) Π½ΡƒΠΆΠ΅Π½ для Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ закрытия транзистора ΠΏΡ€ΠΈ стартС.